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RS1E350BNTB

メーカー: ROHM Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: RS1E350BNTB
説明: MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ROHM Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
作動温度 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 1.7mOhm @ 35A, 10V
電力放蕩(マックス) 35W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ 8-HSOP
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 185nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 7900pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c 35A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

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