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RSJ10HN06TL

メーカー: ROHM Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: RSJ10HN06TL
説明: MOSFET N-CH 60V 100A LPTS
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ROHM Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
作動温度 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 4.2mOhm @ 50A, 10V
電力放蕩(マックス) 100W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ LPTS
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 202nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 60V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 11000pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c 100A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4V, 10V

在庫が 1785 pcs

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