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RT1A060APTR

メーカー: ROHM Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: RT1A060APTR
説明: MOSFET P-CH 12V 6A TSST8
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ROHM Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ P-Channel
包装 Cut Tape (CT)
vgs max -8V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-SMD, Flat Lead
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
作動温度 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 19mOhm @ 6A, 4.5V
電力放蕩(マックス) 600mW (Ta)
サプライヤー装置パッケージ 8-TSST
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 12V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 7800pF @ 6V
現在25%で安全連続(id) @°c 6A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 1.5V, 4.5V

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