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RW1E025RPT2CR

メーカー:	ROHM Semiconductor
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	RW1E025RPT2CR
説明:	MOSFET P-CH 30V 2.5A WEMT6
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	ROHM Semiconductor
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	P-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Not For New Designs
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	SOT-563, SOT-666
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
作動温度	150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	75mOhm @ 2.5A, 10V
電力放蕩(マックス)	700mW (Ta)
サプライヤー装置パッケージ	6-WEMT
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	5.2nC @ 5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	480pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c	2.5A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	4V, 10V