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SCT2H12NYTB

メーカー:	ROHM Semiconductor
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	SCT2H12NYTB
説明:	1700V 1.2 OHM 4A SIC FET
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	ROHM Semiconductor
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	+22V, -6V
技術	SiCFET (Silicon Carbide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 410µA
作動温度	175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	1.5Ohm @ 1.1A, 18V
電力放蕩(マックス)	44W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	TO-268
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 18V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	1700V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	184pF @ 800V
現在25%で安全連続(id) @°c	4A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	18V