Image is for reference only , details as Specifications

SCT3022ALGC11

メーカー:	ROHM Semiconductor
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	SCT3022ALGC11
説明:	MOSFET NCH 650V 93A TO247N
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	ROHM Semiconductor
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tube
vgs max	+22V, -4V
技術	SiCFET (Silicon Carbide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id	5.6V @ 18.2mA
作動温度	175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	28.6mOhm @ 36A, 18V
電力放蕩(マックス)	339W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	TO-247N
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	133nC @ 18V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	650V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	2208pF @ 500V
現在25%で安全連続(id) @°c	93A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	18V