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SCT3120ALGC11

メーカー:	ROHM Semiconductor
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	SCT3120ALGC11
説明:	MOSFET NCH 650V 21A TO247N
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	ROHM Semiconductor
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tube
vgs max	+22V, -4V
技術	SiCFET (Silicon Carbide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id	5.6V @ 3.33mA
作動温度	175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	156mOhm @ 6.7A, 18V
電力放蕩(マックス)	103W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	TO-247N
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 18V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	650V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	460pF @ 500V
現在25%で安全連続(id) @°c	21A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	18V