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SCT3120ALGC11

メーカー: ROHM Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: SCT3120ALGC11
説明: MOSFET NCH 650V 21A TO247N
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ROHM Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ N-Channel
包装 Tube
vgs max +22V, -4V
技術 SiCFET (Silicon Carbide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id 5.6V @ 3.33mA
作動温度 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 156mOhm @ 6.7A, 18V
電力放蕩(マックス) 103W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ TO-247N
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 18V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 650V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 460pF @ 500V
現在25%で安全連続(id) @°c 21A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 18V

在庫が 5657 pcs

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