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UMB10NFHATN

メーカー: ROHM Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
データシート: UMB10NFHATN
説明: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ROHM Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
シリーズ Automotive, AEC-Q101
包装 Digi-Reel®
部地位 Active
-マックス 150mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
トランジスタタイプ 2 PNP Pre-Biased (Dual)
作動温度 150°C (TJ)
周波数-遷移 250MHz
サプライヤー装置パッケージ UMT6
vイス(Max) @ Ib、Ic 300mV @ 250µA, 5mA
現在-コレクター・Ic (Max) 100mA
トラッキング・キュートフ(マックス) -
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 80 @ 10mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max -

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