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UMD6NTR

メーカー: ROHM Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
データシート: UMD6NTR
説明: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ROHM Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
シリーズ -
包装 Cut Tape (CT)
部地位 Active
-マックス 150mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
トランジスタタイプ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
ベース部材番号 *MD6
抵抗基地(R1) 4.7kOhms
周波数-遷移 250MHz
サプライヤー装置パッケージ UMT6
抵抗器−送信機基地(R2−R2) -
vイス(Max) @ Ib、Ic 300mV @ 250µA, 5mA
現在-コレクター・Ic (Max) 100mA
トラッキング・キュートフ(マックス) -
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 100 @ 1mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

在庫が 6301 pcs

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