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UMG3NTR

メーカー:	ROHM Semiconductor
対象品目:	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
データシート:	UMG3NTR
説明:	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	ROHM Semiconductor
対象品目	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
シリーズ	-
包装	Tape & Reel (TR)
部地位	Active
-マックス	150mW
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
トランジスタタイプ	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
ベース部材番号	*MG3
抵抗基地(R1)	4.7kOhms
周波数-遷移	250MHz
サプライヤー装置パッケージ	UMT5
抵抗器−送信機基地(R2−R2)	-
vイス(Max) @ Ib、Ic	150mV @ 250µA, 5mA
現在-コレクター・Ic (Max)	100mA
トラッキング・キュートフ(マックス)	-
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce	100 @ 1mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	50V