画像は参考までに、仕様書を参照してください
UMT18NTR
| メーカー: | ROHM Semiconductor |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays |
| データシート: | UMT18NTR |
| 説明: | PNP+PNP LOW VCE(SAT) TRANSISTOR |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | ROHM Semiconductor |
| 対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays |
| シリーズ | - |
| 包装 | Cut Tape (CT) |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 150mW |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| トランジスタタイプ | 2 PNP (Dual) |
| 作動温度 | 150°C (TJ) |
| 周波数-遷移 | 260MHz |
| サプライヤー装置パッケージ | UMT6 |
| vイス(Max) @ Ib、Ic | 250mV @ 10mA, 200mA |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 500mA |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | 100nA (ICBO) |
| DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 270 @ 10mA, 2V |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 12V |
在庫が 3000 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.48 | $0.47 | $0.46 |
最小: 1
要求引用
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