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UMZ8NTR

メーカー: ROHM Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
データシート: UMZ8NTR
説明: TRANS NPN/PNP 50V/12V UMT6
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ROHM Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
シリーズ -
包装 Tape & Reel (TR)
部地位 Not For New Designs
-マックス 150mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
トランジスタタイプ NPN, PNP
作動温度 150°C (TJ)
周波数-遷移 180MHz, 260MHz
サプライヤー装置パッケージ UMT6
vイス(Max) @ Ib、Ic 400mV @ 5mA, 50mA / 250mV @ 10mA, 200mA
現在-コレクター・Ic (Max) 150mA, 500mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 100nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 120 @ 1mA, 6V / 270 @ 10mA, 2V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V, 12V

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