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US6J11TR

メーカー: ROHM Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: US6J11TR
説明: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ROHM Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ -
fet234タイプ 2 P-Channel (Dual)
包装 Digi-Reel®
fet特徴 Logic Level Gate
部地位 Active
-マックス 320mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 6-SMD, Flat Leads
ベース部材番号 *J11
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
作動温度 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 260mOhm @ 1.3A, 4.5V
サプライヤー装置パッケージ TUMT6
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 2.4nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 12V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 6V
現在25%で安全連続(id) @°c 1.3A

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