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US6T9TR

メーカー: ROHM Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
データシート: US6T9TR
説明: TRANS 2PNP 30V 1A 6UMT
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ROHM Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
シリーズ -
包装 Tape & Reel (TR)
部地位 Not For New Designs
-マックス 400mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
トランジスタタイプ 2 PNP (Dual)
作動温度 150°C (TJ)
周波数-遷移 320MHz
サプライヤー装置パッケージ UMT6
vイス(Max) @ Ib、Ic 350mV @ 25mA, 500mA
現在-コレクター・Ic (Max) 1A
トラッキング・キュートフ(マックス) 100nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 270 @ 100mA, 2V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 30V

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