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US6X4TR

メーカー: ROHM Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート: US6X4TR
説明: TRANS NPN 30V 2A TUMT6
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ROHM Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ -
包装 Tape & Reel (TR)
部地位 Not For New Designs
-マックス 400mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 6-SMD, Flat Leads
トランジスタタイプ NPN
ベース部材番号 US6X
作動温度 150°C (TJ)
周波数-遷移 280MHz
サプライヤー装置パッケージ TUMT6
vイス(Max) @ Ib、Ic 370mV @ 75mA, 1.5A
現在-コレクター・Ic (Max) 2A
トラッキング・キュートフ(マックス) 100nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 270 @ 200mA, 2V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 30V

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