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VT6T11T2R

メーカー: ROHM Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
データシート: VT6T11T2R
説明: PNP+PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIC
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ROHM Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
シリーズ -
包装 Digi-Reel®
部地位 Active
-マックス 150mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 6-SMD, Flat Leads
トランジスタタイプ 2 PNP (Dual)
作動温度 150°C (TJ)
周波数-遷移 350MHz
サプライヤー装置パッケージ VMT6
vイス(Max) @ Ib、Ic 300mV @ 10mA, 100mA
現在-コレクター・Ic (Max) 200mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 100nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 120 @ 1mA, 2V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 20V

在庫が 8000 pcs

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