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VT6X11T2R
| メーカー: | ROHM Semiconductor |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays |
| データシート: | VT6X11T2R |
| 説明: | NPN+NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIC |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | ROHM Semiconductor |
| 対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays |
| シリーズ | - |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 150mW |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | 6-SMD, Flat Leads |
| トランジスタタイプ | 2 NPN (Dual) |
| 作動温度 | 150°C (TJ) |
| 周波数-遷移 | 400MHz |
| サプライヤー装置パッケージ | VMT6 |
| vイス(Max) @ Ib、Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 200mA |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | 100nA (ICBO) |
| DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 120 @ 1mA, 2V |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 20V |
