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HIP6601BECBZ-T

メーカー:	Renesas Electronics America Inc.
対象品目:	PMIC - Gate Drivers
データシート:	HIP6601BECBZ-T
説明:	IC DRVR MOSFET SYNC BUCK 8EPSOIC
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Renesas Electronics America Inc.
対象品目	PMIC - Gate Drivers
シリーズ	-
ゲートタイプ	N-Channel MOSFET
包装	Tape & Reel (TR)
入力タイプ	Non-Inverting
部地位	Obsolete
チャネルタイプ	Synchronous
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
ベース部材番号	HIP6601B
電圧-供給	10.8V ~ 13.2V
複数の運転手	2
駆動構成	Half-Bridge
作動温度	0°C ~ 125°C (TJ)
流行の季節(Typ)	20ns, 20ns
サプライヤー装置パッケージ	8-SOIC-EP
私はあなたを愛しています	-
高電圧- Max(ブートストラップ)	15V
電流—ピーク出力(ソース,流し)	-