H7N1002LS-E
メーカー: | Renesas Electronics America |
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対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
データシート: | H7N1002LS-E |
説明: | MOSFET N-CH 100V LDPAK |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | Renesas Electronics America |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
シリーズ | - |
fet234タイプ | N-Channel |
包装 | Tape & Reel (TR) |
vgs max | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
fet特徴 | - |
部地位 | Active |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | SC-83 |
Vgs(th) (Max) @ Id | - |
作動温度 | 150°C (TJ) |
Rdsデータ(Max) @ Vgs | 10mOhm @ 37.5A, 10V |
電力放蕩(マックス) | 100W (Tc) |
サプライヤー装置パッケージ | 4-LDPAK |
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 155nC @ 10V |
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 100V |
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 9700pF @ 10V |
現在25%で安全連続(id) @°c | 75A (Ta) |
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 4.5V, 10V |
在庫が 52 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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最小: 1