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HAT2160H-EL-E

メーカー:	Renesas Electronics America
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	HAT2160H-EL-E
説明:	MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Renesas Electronics America
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Not For New Designs
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	SC-100, SOT-669
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 1mA
作動温度	150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	2.6mOhm @ 30A, 10V
電力放蕩(マックス)	30W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	LFPAK
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	54nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	20V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	7750pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c	60A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	4.5V, 10V