HAT2210RWS-E
メーカー: | Renesas Electronics America |
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対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
データシート: | HAT2210RWS-E |
説明: | MOSFET N-PAK 8SOP |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | Renesas Electronics America |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
シリーズ | - |
fet234タイプ | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
fet特徴 | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
部地位 | Obsolete |
-マックス | 1.5W (Ta) |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
作動温度 | 150°C |
Rdsデータ(Max) @ Vgs | 24mOhm @ 3.75A, 10V, 22mOhm @ 4A, 10V |
サプライヤー装置パッケージ | 8-SOP |
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 4.6nC @ 4.5V, 11nC @ 4.5V |
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 30V |
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 630pF @ 10V, 1330pF @ 10V |
現在25%で安全連続(id) @°c | 7.5A (Ta), 8A (Ta) |
在庫が 80 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1