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HAT2210RWS-E

メーカー: Renesas Electronics America
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: HAT2210RWS-E
説明: MOSFET N-PAK 8SOP
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Renesas Electronics America
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ -
fet234タイプ 2 N-Channel (Dual), Schottky
fet特徴 Logic Level Gate, 4.5V Drive
部地位 Obsolete
-マックス 1.5W (Ta)
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
作動温度 150°C
Rdsデータ(Max) @ Vgs 24mOhm @ 3.75A, 10V, 22mOhm @ 4A, 10V
サプライヤー装置パッケージ 8-SOP
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 4.6nC @ 4.5V, 11nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 630pF @ 10V, 1330pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c 7.5A (Ta), 8A (Ta)

在庫が 80 pcs

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