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HAT2279HWS-E

メーカー: Renesas Electronics America
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: HAT2279HWS-E
説明: MOSFET N-PAK 8SOP
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Renesas Electronics America
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ N-Channel
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SC-100, SOT-669
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA
作動温度 150°C
Rdsデータ(Max) @ Vgs 12mOhm @ 15A, 10V
電力放蕩(マックス) 25W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ 5-LFPAK
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 80V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 3520pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c 30A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

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