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NP100P04PDG-E1-AY

メーカー:	Renesas Electronics America
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	NP100P04PDG-E1-AY
説明:	MOSFET P-CH 40V 100A TO-263
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Renesas Electronics America
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	P-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
作動温度	175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	3.5mOhm @ 50A, 10V
電力放蕩(マックス)	1.8W (Ta), 200W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	TO-263
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	320nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	40V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	15100pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c	100A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	4.5V, 10V