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NP100P04PDG-E1-AY

メーカー: Renesas Electronics America
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: NP100P04PDG-E1-AY
説明: MOSFET P-CH 40V 100A TO-263
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Renesas Electronics America
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ P-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
作動温度 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 3.5mOhm @ 50A, 10V
電力放蕩(マックス) 1.8W (Ta), 200W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ TO-263
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 320nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 40V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 15100pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c 100A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

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