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NP33N06YDG-E1-AY

メーカー: Renesas Electronics America
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: NP33N06YDG-E1-AY
説明: MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Renesas Electronics America
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ N-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
作動温度 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 14mOhm @ 16.5A, 10V
電力放蕩(マックス) 1W (Ta), 97W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ 8-HSON
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 78nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 60V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 3900pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 33A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 5V, 10V

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