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R1RW0416DSB-2PR#D1

メーカー: Renesas Electronics America
対象品目: Memory
データシート: R1RW0416DSB-2PR#D1
説明: IC SRAM IBIS ASYNC
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Renesas Electronics America
対象品目 Memory
シリーズ -
包装 Tube
技術 SRAM
アクセス時間 12ns
メモリサイズ 4Mb (256K x 16)
メモリタイプ Volatile
部地位 Active
メモリフォーマット SRAM
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
メモリ・インターフェース Parallel
電圧-供給 3V ~ 3.6V
作動温度 -40°C ~ 85°C (TA)
サプライヤー装置パッケージ 44-TSOP II
サイクル時間−単語,ページを書く 12ns

在庫が 75 pcs

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