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RJH1CV6DPK-00#T0

メーカー:	Renesas Electronics America
対象品目:	Transistors - IGBTs - Single
データシート:	RJH1CV6DPK-00#T0
説明:	IGBT 1200V 60A 290W TO-3P
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Renesas Electronics America
対象品目	Transistors - IGBTs - Single
シリーズ	-
igbtタイプ	Trench
包装	Tube
入力タイプ	Standard
門電荷	105nC
部地位	Active
-マックス	290W
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-3P-3, SC-65-3
実験条件	600V, 30A, 5Ohm, 15V
スイッチングエネルギー	2.3mJ (on), 1.7mJ (off)
td (on / off) @ 25°c	46ns/125ns
作動温度	150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ	TO-3P
v(オン)(Max) @ Vge, Ic	2.6V @ 15V, 30A
反転回復時間(trr)	180ns
現在-コレクター・Ic (Max)	60A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	1200V