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RJH1CV7DPK-00#T0

メーカー:	Renesas Electronics America
対象品目:	Transistors - IGBTs - Single
データシート:	RJH1CV7DPK-00#T0
説明:	IGBT 1200V 70A 320W TO-3P
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Renesas Electronics America
対象品目	Transistors - IGBTs - Single
シリーズ	-
igbtタイプ	Trench
包装	Tube
入力タイプ	Standard
門電荷	166nC
部地位	Active
-マックス	320W
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-3P-3, SC-65-3
実験条件	600V, 35A, 5Ohm, 15V
スイッチングエネルギー	3.2mJ (on), 2.5mJ (off)
td (on / off) @ 25°c	53ns/185ns
作動温度	150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ	TO-3P
v(オン)(Max) @ Vge, Ic	2.3V @ 15V, 35A
反転回復時間(trr)	200ns
現在-コレクター・Ic (Max)	70A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	1200V