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RJH60D5DPK-00#T0

メーカー:	Renesas Electronics America
対象品目:	Transistors - IGBTs - Single
データシート:	RJH60D5DPK-00#T0
説明:	IGBT 600V 75A 200W TO3P
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Renesas Electronics America
対象品目	Transistors - IGBTs - Single
シリーズ	-
igbtタイプ	Trench
包装	Tube
入力タイプ	Standard
門電荷	78nC
部地位	Active
-マックス	200W
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-3P-3, SC-65-3
実験条件	300V, 37A, 5Ohm, 15V
ベース部材番号	RJH60D
スイッチングエネルギー	650µJ (on), 400µJ (off)
td (on / off) @ 25°c	50ns/135ns
作動温度	150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ	TO-3P
v(オン)(Max) @ Vge, Ic	2.2V @ 15V, 37A
反転回復時間(trr)	100ns
現在-コレクター・Ic (Max)	75A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	600V