画像は参考までに、仕様書を参照してください

RJH60F6DPK-00#T0

メーカー:	Renesas Electronics America
対象品目:	Transistors - IGBTs - Single
データシート:	RJH60F6DPK-00#T0
説明:	IGBT 600V 85A 297.6W TO-3P
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Renesas Electronics America
対象品目	Transistors - IGBTs - Single
シリーズ	-
igbtタイプ	Trench
包装	Tube
入力タイプ	Standard
部地位	Active
-マックス	297.6W
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-3P-3, SC-65-3
実験条件	400V, 30A, 5Ohm, 15V
ベース部材番号	RJH60F
スイッチングエネルギー	-
td (on / off) @ 25°c	58ns/131ns
作動温度	150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ	TO-3P
v(オン)(Max) @ Vge, Ic	1.75V @ 15V, 45A
反転回復時間(trr)	140ns
現在-コレクター・Ic (Max)	85A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	600V