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RJH65T04BDPMA0#T2F

メーカー: Renesas Electronics America
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: RJH65T04BDPMA0#T2F
説明: IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PFP
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Renesas Electronics America
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ Trench
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 74nC
部地位 Active
-マックス 65W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 SC-94
実験条件 400V, 30A, 10Ohm, 15V
スイッチングエネルギー 360µJ (on), 350µJ (off)
td (on / off) @ 25°c 35ns/115ns
作動温度 175°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-3PFP
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 30A
反転回復時間(trr) 80ns
現在-コレクター・Ic (Max) 60A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 650V

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