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RJK03C1DPB-00#J5

メーカー: Renesas Electronics America
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: RJK03C1DPB-00#J5
説明: MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Renesas Electronics America
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 Schottky Diode (Body)
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SC-100, SOT-669
Vgs(th) (Max) @ Id -
作動温度 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 2.2mOhm @ 30A, 10V
電力放蕩(マックス) 65W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ LFPAK
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 6000pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c 60A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

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