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RJK1003DPN-E0#T2

メーカー: Renesas Electronics America
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: RJK1003DPN-E0#T2
説明: MOSFET N-CH 100V 50A TO220
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Renesas Electronics America
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ N-Channel
包装 Tube
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id -
作動温度 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 11mOhm @ 25A, 10V
電力放蕩(マックス) 125W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ TO-220AB
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 59nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 4150pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c 50A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

在庫が 58 pcs

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