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RJK2009DPM-00#T0

メーカー:	Renesas Electronics America
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	RJK2009DPM-00#T0
説明:	MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Renesas Electronics America
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tube
vgs max	±30V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-3PFM, SC-93-3
Vgs(th) (Max) @ Id	-
作動温度	-
Rdsデータ(Max) @ Vgs	36mOhm @ 20A, 10V
電力放蕩(マックス)	60W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	TO-3PFM
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	72nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	200V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	2900pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	40A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V