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RJK2057DPA-WS#J0

メーカー: Renesas Electronics America
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: RJK2057DPA-WS#J0
説明: MOSFET N-CH W-PAK
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Renesas Electronics America
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ N-Channel
vgs max ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-PowerWDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA
作動温度 150°C
Rdsデータ(Max) @ Vgs 85mOhm @ 10A, 10V
電力放蕩(マックス) 30W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ 8-WPAK
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 200V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 1250pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 20A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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