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RJK6006DPD-00#J2

メーカー:	Renesas Electronics America
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	RJK6006DPD-00#J2
説明:	MOSFET N-CH 600V 5A MP3A
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Renesas Electronics America
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vgs max	±30V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id	-
作動温度	150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	1.6Ohm @ 2.5A, 10V
電力放蕩(マックス)	77.6W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	MP-3A
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	600V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	600pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	5A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V