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RJK6026DPE-00#J3

メーカー:	Renesas Electronics America
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	RJK6026DPE-00#J3
説明:	MOSFET N-CH 600V 5A LDPAK
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Renesas Electronics America
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tube
vgs max	±30V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	SC-83
Vgs(th) (Max) @ Id	-
作動温度	150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	2.4Ohm @ 2.5A, 10V
電力放蕩(マックス)	62.5W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	4-LDPAK
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	600V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	440pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	5A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V