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RJM0603JSC-00#12

メーカー:	Renesas Electronics America
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート:	RJM0603JSC-00#12
説明:	MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Renesas Electronics America
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ	Automotive, AEC-Q101
fet234タイプ	3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
包装	Tray
fet特徴	Logic Level Gate, 4.5V Drive
部地位	Active
-マックス	54W
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
作動温度	175°C
Rdsデータ(Max) @ Vgs	20mOhm @ 10A, 10V
サプライヤー装置パッケージ	20-HSOP
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	43nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	60V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	2600pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c	20A