画像は参考までに、仕様書を参照してください
RJP65T43DPQ-A0#T2
| メーカー: | Renesas Electronics America |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - IGBTs - Single |
| データシート: | RJP65T43DPQ-A0#T2 |
| 説明: | IGBT TRENCH 650V 60A TO247A |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Renesas Electronics America |
| 対象品目 | Transistors - IGBTs - Single |
| シリーズ | - |
| igbtタイプ | Trench |
| 包装 | Tube |
| 入力タイプ | Standard |
| 門電荷 | 69nC |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 150W |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | TO-247-3 |
| 実験条件 | 400V, 20A, 10Ohm, 15V |
| スイッチングエネルギー | 170µJ (on), 130µJ (off) |
| td (on / off) @ 25°c | 35ns/105ns |
| 作動温度 | 175°C (TJ) |
| サプライヤー装置パッケージ | TO-247A |
| v(オン)(Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 20A |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 60A |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 650V |
在庫が 9 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $4.22 | $4.14 | $4.05 |
最小: 1
要求引用
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