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RQJ0303PGDQA#H6

メーカー:	Renesas Electronics America
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	RQJ0303PGDQA#H6
説明:	MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Renesas Electronics America
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	P-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vgs max	+10V, -20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id	-
作動温度	150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	68mOhm @ 1.6A, 10V
電力放蕩(マックス)	800mW (Ta)
サプライヤー装置パッケージ	3-MPAK
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	625pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c	3.3A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	4.5V, 10V