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RQJ0303PGDQA#H6

メーカー: Renesas Electronics America
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: RQJ0303PGDQA#H6
説明: MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Renesas Electronics America
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ P-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vgs max +10V, -20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id -
作動温度 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 68mOhm @ 1.6A, 10V
電力放蕩(マックス) 800mW (Ta)
サプライヤー装置パッケージ 3-MPAK
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 625pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c 3.3A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

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