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2ST501T

メーカー: STMicroelectronics
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート: 2ST501T
説明: TRANS NPN DARL 350V 4A TO-220
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー STMicroelectronics
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ -
包装 Tube
部地位 Active
-マックス 100W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-220-3
トランジスタタイプ NPN - Darlington
ベース部材番号 2ST50
作動温度 150°C (TJ)
周波数-遷移 -
サプライヤー装置パッケージ TO-220AB
vイス(Max) @ Ib、Ic 1.5V @ 2mA, 2A
現在-コレクター・Ic (Max) 4A
トラッキング・キュートフ(マックス) 100µA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 2000 @ 2A, 2V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 350V

在庫が 356 pcs

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