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ESM2012DV
| メーカー: | STMicroelectronics |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| データシート: | ESM2012DV |
| 説明: | TRANS NPN DARL 120V 120A ISOTOP |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| シリーズ | - |
| 包装 | Tube |
| 部地位 | Obsolete |
| -マックス | 175W |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| パケット/場合 | ISOTOP |
| トランジスタタイプ | NPN - Darlington |
| ベース部材番号 | ESM2012 |
| 作動温度 | 150°C (TJ) |
| 周波数-遷移 | - |
| サプライヤー装置パッケージ | ISOTOP® |
| vイス(Max) @ Ib、Ic | 1.5V @ 1A, 100A |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 120A |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | - |
| DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 1200 @ 100A, 5V |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 120V |
