画像は参考までに、仕様書を参照してください

IRF630

メーカー:	STMicroelectronics
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	IRF630
説明:	MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	STMicroelectronics
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	MESH OVERLAY™ II
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tube
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-220-3
ベース部材番号	IRF6
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
作動温度	-65°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	400mOhm @ 4.5A, 10V
電力放蕩(マックス)	75W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	TO-220AB
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	200V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	700pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	9A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V