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IRF630FP

メーカー: STMicroelectronics
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IRF630FP
説明: MOSFET N-CH 200V 9A TO-220FP
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー STMicroelectronics
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ MESH OVERLAY™ II
fet234タイプ N-Channel
包装 Tube
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-220-3 Full Pack
ベース部材番号 IRF6
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
作動温度 -65°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 400mOhm @ 4.5A, 10V
電力放蕩(マックス) 30W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ TO-220FP
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 200V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 9A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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