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SCT10N120

メーカー: STMicroelectronics
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: SCT10N120
説明: MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー STMicroelectronics
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ N-Channel
包装 Tube
vgs max +25V, -10V
技術 SiCFET (Silicon Carbide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-247-3
ベース部材番号 SCT10
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 200°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 690mOhm @ 6A, 20V
電力放蕩(マックス) 150W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ HiP247™
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 20V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 1200V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 400V
現在25%で安全連続(id) @°c 12A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 20V

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