画像は参考までに、仕様書を参照してください
SCTW90N65G2V
| メーカー: | STMicroelectronics |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| データシート: | SCTW90N65G2V |
| 説明: | SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650 |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| シリーズ | - |
| fet234タイプ | N-Channel |
| vgs max | +22V, -10V |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| fet特徴 | - |
| 部地位 | Active |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | TO-247-3 |
| ベース部材番号 | SCTW90 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| 作動温度 | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Rdsデータ(Max) @ Vgs | 25mOhm @ 50A, 18V |
| 電力放蕩(マックス) | 390W (Tc) |
| サプライヤー装置パッケージ | HiP247™ |
| ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 157nC @ 18V |
| ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 650V |
| 入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 3300pF @ 400V |
| 現在25%で安全連続(id) @°c | 90A (Tc) |
| 駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 18V |
在庫が 87 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $51.98 | $50.94 | $49.92 |
最小: 1
要求引用
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