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SCTW90N65G2V

メーカー:	STMicroelectronics
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	SCTW90N65G2V
説明:	SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	STMicroelectronics
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	N-Channel
vgs max	+22V, -10V
技術	SiCFET (Silicon Carbide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-247-3
ベース部材番号	SCTW90
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 200°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	25mOhm @ 50A, 18V
電力放蕩(マックス)	390W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	HiP247™
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	157nC @ 18V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	650V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	3300pF @ 400V
現在25%で安全連続(id) @°c	90A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	18V