SCTWA50N120
メーカー: | STMicroelectronics |
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対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
データシート: | SCTWA50N120 |
説明: | MOSFET N-CH 1200V 65A HIP247 |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | STMicroelectronics |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
シリーズ | - |
fet234タイプ | N-Channel |
vgs max | +25V, -10V |
技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
fet特徴 | - |
部地位 | Active |
取付タイプ | Through Hole |
パケット/場合 | TO-247-3 |
ベース部材番号 | SCTWA |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
作動温度 | -55°C ~ 200°C (TJ) |
Rdsデータ(Max) @ Vgs | 69mOhm @ 40A, 20V |
電力放蕩(マックス) | 318W (Tc) |
サプライヤー装置パッケージ | HiP247™ |
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 122nC @ 20V |
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 1200V |
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 400V |
現在25%で安全連続(id) @°c | 65A (Tc) |
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 20V |
在庫が 480 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$35.32 | $34.61 | $33.92 |
最小: 1