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SCTWA50N120

メーカー: STMicroelectronics
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: SCTWA50N120
説明: MOSFET N-CH 1200V 65A HIP247
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー STMicroelectronics
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ N-Channel
vgs max +25V, -10V
技術 SiCFET (Silicon Carbide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-247-3
ベース部材番号 SCTWA
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
作動温度 -55°C ~ 200°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 69mOhm @ 40A, 20V
電力放蕩(マックス) 318W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ HiP247™
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 122nC @ 20V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 1200V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 1900pF @ 400V
現在25%で安全連続(id) @°c 65A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 20V

在庫が 480 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$35.32 $34.61 $33.92
最小: 1

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