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SGSD200
| メーカー: | STMicroelectronics |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| データシート: | SGSD200 |
| 説明: | TRANS PNP DARL 80V 25A TO-247 |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| シリーズ | - |
| 包装 | Tube |
| 部地位 | Obsolete |
| -マックス | 130W |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | TO-247-3 |
| トランジスタタイプ | PNP - Darlington |
| ベース部材番号 | SGSD200 |
| 作動温度 | - |
| 周波数-遷移 | - |
| サプライヤー装置パッケージ | TO-247-3 |
| vイス(Max) @ Ib、Ic | 3.5V @ 80mA, 20A |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 25A |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | 500µA |
| DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 500 @ 10A, 3V |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 80V |
