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STB10NK60Z-1

メーカー:	STMicroelectronics
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	STB10NK60Z-1
説明:	MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	STMicroelectronics
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	SuperMESH™
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tube
vgs max	±30V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Not For New Designs
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
ベース部材番号	STB10N
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	750mOhm @ 4.5A, 10V
電力放蕩(マックス)	115W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	I2PAK
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	70nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	600V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	1370pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	10A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V