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STB25NM60N-1

メーカー:	STMicroelectronics
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	STB25NM60N-1
説明:	MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	STMicroelectronics
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	MDmesh™ II
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tube
vgs max	±25V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Obsolete
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
作動温度	150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	160mOhm @ 10.5A, 10V
電力放蕩(マックス)	160W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	I2PAK
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	84nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	600V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	2400pF @ 50V
現在25%で安全連続(id) @°c	21A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V