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STB3N62K3

メーカー:	STMicroelectronics
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	STB3N62K3
説明:	MOSFET N-CH 620V 2.7A D2PAK
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	STMicroelectronics
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	SuperMESH3™
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±30V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Obsolete
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ベース部材番号	STB3N
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA
作動温度	150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	2.5Ohm @ 1.4A, 10V
電力放蕩(マックス)	45W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	D2PAK
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	620V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	385pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	2.7A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V